STM32F429NIH6J

 STM32F429NIH6J为防止出现意外，在加电之前应测量一下主板上电源＋5V 与地（GND）之间的电阻值。zui简捷的方法是测芯片的电源引脚与地之间的电阻。未插入电源插头时，该电阻一般应为 300Ω，zui低也不应低于 100Ω。再测一下反向电阻值，略有差异，但不能相差过大。若正反向阻值很小或接近导通，就说明有短路发生，应检查短的原因。产生这类现象的原因有以下几种：
 （1）系统板上有被击穿的芯片。一般说此类故障较难排除。例如 TTL 芯片（LS
系列）的＋5V 连在一起，可吸去＋5V 引脚上的焊锡，使其悬浮，逐个测量，从而找出故障
片子。如果采用割线的方法，势必会影响主板的寿命。
 （2）板子上有损坏的电阻电容。
 （3）板子上存有导电杂物。


基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F429NIH6J由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F429NIH6J带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F429NIH6J参数
料号 STM32F429NIH6J
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 TFBGA 216 13x13x1.2 P 0.8 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 168
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

9VRS4420DKILFT
8T49N281C-999NLGI
8A34004C-000NBG
8A34004E-000NBG
9QXL2000BNLGI
87002AG-02LFT
9SQL4958BNDGI8
8432DY-101LFT
8T49N241-998NLGI
8A34004B-000NBG
74CBTLV3257PGG8
9ZML1252EKILFT
9ZX21901DKLF
89HPES8T5AZBBCG
89HPES3T3ZBBCG
8T49N281B-999NLGI
8T49N240-035NLGI
89H16NT16G2ZCHLGI
8SLVP1204ANLGI
5V41066PGGI
8T49N287-998NLGI
8T49N242-998NLGI
8T49N0404NLGI/W
8535AGI-31LF
830154AMI-08LF
XUP736050.000000I

STM32F429NIH6J
5V41285PGGI
8T39S11ANLGI
83PN156DKILF
9SQL4958CNDGI

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