STM32F417IET6

STM32F417IET6电子管在使用时应严格遵照产品手册中规定的各极电压值（包括灯丝电压、屏极电压和帘栅极电压等）。选用哪种型号的电子管，还应根据应用电路的工作电压值、电流值等参数而定。所选电子管的各极电压值应与应用电路的工作电压值相同或相近，否则会缩短电子管的使用寿命。
 3．主要参数应相同或相近STM32F417IET6
电子管损坏后，若无同型号电子管更换，也可以使用主要参数相同或相近的其它型号电子管来代换。代换管的灯丝电压不能超过额定值的+5%，屏极电压和帘栅极电压不能超过额定值，耗散功率应相同，否则会缩短电子管的使用寿命。


STM32F417IE基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F417IET6由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

它属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F417IE带DSP和FPU，具有512 KB Flash、168 MHz CPU和ART加速器。

STM32F417IE具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

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STM32F417IET6参数
料号 STM32F417IET6
特性 带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、168 MHz CPU、ART加速器、以太网、FSMC和硬件加密
状态 Active
封装 LQFP 176 24x24x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 168
程序存储器大小 (kB) 512
双组闪存 -
数据RAM大小(kB) 192
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 140
显示控制器 -
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 3
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 2
存储器扩展接口 FSMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 AES,DES/TDES,HMAC,MD5,SHA
TRNG true
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 215
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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GD32L412TBY6
GD32L422CBT6
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GD32L422KBT6
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GD32L422RBI6
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GD32L431CBT6
GD32L431CBT7
GD32L431CBU7
GD32L431CBY7
GD32L431CCT6
STM32F417IET6
GD32L431CCU6
GD32L431CCY6
GD32L431KBU6
GD32L431KCU6
GD32L431RBI3
GD32L431RBT3
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