STM32U585AII6Q

目前各种电子设备中广泛采用的桥式整流、大电容滤波的STM32U585AII6Q，在整流滤波的AC/DC变换过程中，为了减少输出DC电压的纹波成分，必须选择足够大容量的滤波电容器，以致在交流电的半周内电容器的放电时间远大于交流电的半周期，以尽量使负裁两端电压随电容放电过程变动zui小。其结果是，电容器的充电电压几乎等于交流电的峰值，仅在下一个脉动半周峰值到来之前稍低于输入电压瞬时值。因此，在交流电的半周期内，仅在峰值到来和极短时间内整流二极管才能瞬间导通，向电容器补充充电。一旦充电到输入电压峰值，二极管又截止。其结果使设备负载电流呈重复频率为100Hz的尖峰，导致交流电的利用率大为降低，不仅如此，尖蜂脉冲电流的高次谐波对电网的污染也极为严重。交流电源的利用率降低。表现为设备功率因数降低。换言之，这种电路没有解决提高功率因数与减小整.流电路的输出纹波的矛盾。

STM32U585AII6Q是基于Arm® Cortex®-M33的高ji节能微控制器。它基于专有的超低漏电流技术和优化设计，为节能型嵌入式系统和应用设计者提供性能、功耗、安全和成本效益之间的平衡，满足智能应用zui苛刻的电源/性能要求。这些应用包括可穿戴设备、个人医疗设备、家居自动化和工业传感器。

STM32U585AII6Q通过高达2MB的闪存（双组）存储器和786KB的SRAM将性能提升到更高水平。它在25到125 °C范围内具有业内zui低的电流波动，保证了高温下极低的电流消耗。在zui低功耗模式并维持SRAM数据的情况下，它也能实现业界zui低的170 nA电流消耗。停止模式下的唤醒时间低至3.5 μs。

STM32U585AII6Q参数
料号 STM32U585AII6Q
特性 Ultra-low-power with FPU Arm Cortex-M33 with Trust Zone, MCU 160 MHz with 2Mbytes of Flash memory
状态 Active
封装 UFBGA 169 7x7x0.6 P 0.5 mm
内核 Arm Cortex-M33
操作频率(MHz) 160
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
-
数据RAM大小(kB) 786
计时器(16-bit) -
计时器 (32-bit) -
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 24
14bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 24
D/A转换器 2
比较器数量 2
输入/输出端数量 134,137
显示控制器 LCD parallel Interface
CAN接口数量 -
CAN FD接口数量 1
I2C接口数量 4
SPI接口数量 3
I2S接口数量 -
USART接口数量 3
UART接口数量 2
集成运算放大器 2
其他接口 ADF,Camera Interface,MDF,SAI,SD/MMC,Vref Buffer
存储器扩展接口 Dual Octo SPI,FSMC
USB类型 USB OTG FS,USB Type-C
加密技术 AES,HMAC,MD5,SHA
TRNG true
SMPS Internal
电源电压 (V) min 1.71
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 0.02
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 26
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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