STM32F410RBT6TR

铝电解电容器 STM32F410RBT6TR
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在 25kHz 以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波
2、钽电解电容器
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到ZUI大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可机件中
3、薄膜电容器 STM32F410RBT6TR
结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路


STM32F410RBT6TR基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

它由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F410RBT6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

此MCU带DSP和FPU，具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

STM32F410RBT6TR具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。


STM32F410RBT6TR参数
料号 STM32F410RBT6TR
特性 支持BAM的STM32动态效率MCU，带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
状态 Active
封装 LQFP 64 10x10x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 128
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 32
计时器(16-bit) 4
计时器 (32-bit) 1
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 16
D/A转换器 1
输入/输出端数量 50
显示控制器 -
CAN接口数量 -
I2C接口数量 3
SPI接口数量 3
I2S接口数量 3
USART接口数量 3
UART接口数量 -
存储器扩展接口 -
USB类型 -
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85


作为ST代理分销商，深圳西昂特科技备有STM32F410RBT6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。

深圳西昂特科技除了以上STM32F410RBT6TR以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。

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STM32L431VCT6
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STM32L432KCU6
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