FF150R12KS4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT - Standard Modules
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 225 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1.25 kW
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: 62 mm
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500

Infineon 英飞凌 IGBT模块现货库存，请来电咨询，0755-83952152 深圳市汶政科技有限公司

Package 762MM
Configuration Dual
Pin Count 7
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V
Mounting Screw
Category IGBT Module
Manufacturer Infineon Technologi es

型号/规格

FF150R12KS4

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

环保类别

无铅环保型

集电极—发射极电压 VCEO

1200 V

在25 C的连续集电极电流

225 A

功率耗散

1250W