制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: Econo D
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 14
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Typische Anwendungen
• Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen
Typical Applications
• High Frequency Switching Application
Elektrische Eigenschaften
•High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
• Niedrige Schaltverluste
• VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten
Electrical Features
• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom
• Low Switching Losses
• VCEsat with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
• Hohe Leistungsdichte
• Isolierte Bodenplatte
• Standardgehäuse
Mechanical Features
• High Power Density
• Isolated Base Plate
• Standard Housing
