DIODES/美台 DMG6601LVT-7 MOSFET

型号DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列：-
包装 卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
422pF @ 15V
功率 - 大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号

DMG6601

类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列：-
包装 卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
422pF @ 15V
功率 - 大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号
DMG6601
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列：-
包装 卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
422pF @ 15V
功率 - 大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号
DMG6601