型号MMBT3906LT1G
MMBT3906LT1G
MMBT3906LT1G
MMBT3906LT1G
类别 分立半导体产品
晶体管
单双极晶体管
制造商
onsemi
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
200 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（大值）
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 10mA，1V
功率 - 大值
300 mW
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
基本产品编号
MMBT3906
类别 分立半导体产品
晶体管
单双极晶体管
制造商
onsemi
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
200 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（大值）
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 10mA，1V
功率 - 大值
300 mW
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
基本产品编号
MMBT3906
类别 分立半导体产品
晶体管
单双极晶体管
制造商
onsemi
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
200 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（大值）
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 10mA，1V
功率 - 大值
300 mW
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
基本产品编号
MMBT3906
