DIODES/美台 DMN3730U-7 晶体管

型号DMN3730U-7

DMN3730U-7

DMN3730U-7

DMN3730U-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
64.3 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
450mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号

DMN3730

类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
64.3 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
450mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN3730
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
64.3 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
450mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN3730