VISHAY/威世 SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET

型号SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

类别 分立半导体产品

晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
77 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
595 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号

SI2319

类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
77 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
595 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SI2319
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
77 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
595 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SI2319