DIODES/美台 DMN2013UFDE-7 MOSFET

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型号DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

类别 分立半导体产品

晶体管
单 FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25.8 nC @ 8 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
2453 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
660mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25.8 nC @ 8 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
2453 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
660mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25.8 nC @ 8 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
2453 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
660mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013

型号/规格

DMN2013UFDE-7

品牌/商标

DIODES/美台

封装形式

U-DFN2020-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率