DIODES/美台 DMN2013UFDE-7 MOSFET

型号DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

类别 分立半导体产品

晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
25.8 nC @ 8 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2453 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
660mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
25.8 nC @ 8 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2453 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
660mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013