原装场效应MOS管 AON7403

驰源科技专注于半导体元器件国内市场的销售（批发、零售）。依托深圳优势的电子信息产业，辐射中国电子市场，销售国际著名品牌的半导体集成电路。在产业信息飞速发展的今天驰源科技坚持高质量，高效率，整合优势资源为客户提供极具竞争力的价格及灵活快捷的物流，为客户提供一流的服务。我司为一般纳税人,所经営产品均为报关到深圳,可提供正规13点增值税票。公司长期备有大量原装现货，供货稳定，价格极具优势并能提供香港及内地交货。

原装正品场效应MOS管 AON7403描述:              

AOS在沟道功率MOSFET领域开创了fab-lite模型，开发了前沿产品，这些产品完全由最先进的8英寸fab制造。

先进的专有硅和封装工艺是在AOS的美国总部设计的，然后以其非常高效的制造模式生产。

我们的产品组合包括6V至1000V mosfet和600V、650V、1200V和1350V igbt。

场效应MOS管 AON7403一般信息 ：

数据列表

AON7403;

标准包装  

5,000

包装  

标准卷带  

零件状态

停產

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列

场效应MOS管 AON7403其它名称

785-1303-2 规格

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

11A（Ta），29A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

18 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

24nC @ 15V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

1400pF @ 15V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.1W（Ta），25W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-DFN（3x3）

封装/外壳

8-PowerVDFN

原装正品场效应MOS管 AON7403图片：