原装场效应管MOS管SUM110P06-07L-E3

场效应管MOS管SUM110P06-07L-E3详细规格

场效应管MOS管

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK

系列：TrenchFET?

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫欧 @ 30A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250μA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：345nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：11400pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：TO-263（D2Pak）

包装 ：带卷 

稳压MOS管制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

场效应管MOS管RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V

Qg-栅极电荷: 230 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 375 mW

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: SUM  

晶体管类型: 1 P-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 20 S  

下降时间: 50 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 25 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 20 ns  

零件号别名: SUM110P06-07L  

单位重量: 2 g  

场效应管MOS管SUM110P06-07L-E3

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