内存芯片H5PS5162FFR-S5C原装现货HYNIX现代

内存芯片H5PS5162FFR-S5C

产品用途：SDROM内存芯片IC，DDR2 SDRAM / 32MX16 DDR2 / FBGA / 1.8 V

产品图片：

内存芯片H5PS5162FFR-S5C产品参数：

型号：H5PS5162FFR-S5C

品牌：SY HYNIS现代

类型：SDRAM

封装：BGA

材料：硅

电流：2--2UA

电压：1.8V

功耗：低

频率：

存储温度：-55-100°

工作温度：0-85°

存储环境：常温

应用范围：视频及数据

GA（X16）：8毫米×13毫米

通过EMRS控制的全力驱动程序选项?在支持的片上终端

关支持片外驱动器阻抗调整

自刷新高温条目

部分阵列自刷新支持

•VDD，VDDQ=1.8+/-0.1V

•所有输入和输出与SSTL U 18接口兼容

•全差分时钟输入（CK，/CK）操作

•双数据速率接口

•源同步数据事务与双向数据选通（DQ、DQ）对齐

•差分数据选通（DQ、DQ）

•数据输出在DQ上，读取时DQ边缘（边缘DQ）

•写入时在DQ中心输入数据（以DQ为中心）

•片内dll将dq、dqs和dqs转换与ck转换对齐

•dm mask在数据选通的上升和下降边缘写入数据

•所有地址和控制输入，除了锁存在时钟上升边缘的数据、数据频闪灯和数据屏蔽

•支持可编程CAS延迟2、3、4、5、6和7

•支持可编程加法延迟0、1、2、3、4和5

•可编程脉冲长度4/8，具有半字节顺序和交错模式

•具有单脉冲RAS的内部四组操作

•支持TRAS锁定

•8K刷新周期/64ms

•Jedec标准84球FBGA（x16）：7.5毫米x 12.5毫米

•EMR控制的全强度驱动选项

•支持模具端接

•支持片外驱动器阻抗调整

•自刷新高温入口

•部分阵列自刷新支持

内存芯片H5PS5162FFR-S5C

1。应力大于“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对

装置。这只是一个应力额定值和设备在上述或任何其他条件下的功能操作。

本规范的操作章节中所述的内容并不隐含。暴露于绝对最大值

长期的额定条件可能会影响可靠性。

2。储存温度是指DRAM中心/顶部的表面温度。用于测量

条件。请参考JESD51-2标准。

符号参数额定值单位注释

内存芯片H5PS5162FFR-S5C