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IRF7404TRPBF 全新原装进口现货 贴片SOP-8封装系列MOS场效应管

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市远东国际电子有限公司

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一般信息
数据列表: IRF7404PbF;
标准包装 :  4,000
包装  : 标准卷带  
类别: 分立半导体产品
产品族: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 :HEXFET®
其它名称: IRF7404PBFTR 
SP 


规格
FET 类型 ;P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1500pF @ 15V
Vgs（最大值） ：±12V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V
工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 ：表面贴装

供应商器件封装： 8-SO

种类

按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。

增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。

电力MOSFET主要是N沟道增强型。


型号/规格

IRF7404

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

封装

SOP-8

电流

6.7A

沟道

P

电压

20V