FAIRCHILD仙童全新原装进口FDS5692Z-NL 贴片SOP8 MOS场效应管

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  • 金属
在固态金属导体内,有很多可移动的自由电子。虽然这些电子并不束缚于任何特定原子,但都束缚于金属的晶格内。甚至于在没有外电场作用下,因为热能(thermal energy) ,这些电子仍旧会随机地移动。但是,在导体
电流在金属中存在
电流在金属中存在(5张)
 内,平均净电流是零。挑选导线内部任意截面,在任意时间间隔内,从截面一边移到另一边的电子数目,等于反方向移过截面的数目。如同乔治·伽莫夫在他发表于 1947 年的科学畅销书《One, Two,Three…Infinity》谈到:
“金属物质与其它物质不同的地方,在于其最外层的电子很松弛地束缚于原子,电子能够很容易地逃离原子。因此,满布于金属的内部,有很多未被束缚的电子,毫无目标地游动,就好像一群无家可归的醉汉。当施加电压于一根金属导线的两端,这些自由电子会朝着电势高的一端奔去,这样,形成了电流。”[4] 


Digi-Key 零件编号: FDS5692ZCT-ND 
ON :Semiconductor
制造商零件编号 :
FDS5692Z
描述: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL): 1(无限)

详细描述 表面贴装 :N 沟道 50V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id):(25°C 时) 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :1025pF @ 25V
Vgs(最大值) :±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 24 毫欧 @ 5.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

型号/规格

FDS5692Z-NL

品牌/商标

FAIRCHILD仙童

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

封装

SOP-8

电流

5.8A

沟道

N

电压

50V