AOS万代全新进口原装AO4437 封装SOP-8 MOS场效应管

地区:广东 深圳
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(串联电路(n个用电器串联):
电流:I总=I1=I2....=In (串联电路中,电路各部分的电流相等)
电压:U总=U1+U2....+Un (总电压等于各部分电压之和)
电阻:R总=R1+R2....+Rn(总电阻等于各部分电阻之和)
并联电路(n个用电器并联):
电流:I总=I1+I2....+In(并联电路中,干路电流等于各支路电流之和)
电压:U总=U1=U2....=Un(各支路两端电压相等并等于电源电压)
电阻:1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn(总电阻倒数等于各部分电阻倒数之和)。当2个用电器并联时,有以下推导公式:R总=R1R1/(R1+R2)
电阻公式推导方法:
(1)串联:由U总=U1+U2....+Un,得到I总R总=I1R1+I2R2....+InRn
因为串联电路各部分电流相等,即I总=I1=I2....=In,所以得到:
R总=R1+R2....+Rn(例如一个3Ω的电阻和一个6Ω的电阻串联,其串联的总电阻为9Ω)
(2)并联:由I总=I1+I2....+In,得到U总/R总=U1/R1+U2/R2....+Un/Rn
因为并联电路各部分电压等于总电压,即U总=U1=U2....=Un,所以得到:
1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn(例如一个3Ω的电阻和一个6Ω的电阻并联,其并联的总电阻为2Ω)
对于只有两个电阻并联的部分来说,可以继续推导出以下公式:
由1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn可知:1/R总=1/R1+1/R2=R2/R1R2+R1/R1R2=(R1+R2)/R1R2
所以R总=R1R1/(R1+R2)
由上面的公式还可以得到一个结论:串联的总电阻大于其任意一分电阻,并联的总电阻小于其任意一分电阻

FET 类型: P 沟道

技术 MOSFET:(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id):(25°C 时) 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 47nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :4750pF @ 6V
Vgs(最大值) :±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值): 3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 16 毫欧 @ 11A,4.5V
工作温度 :-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-SOIC

型号/规格

AO4437

品牌/商标

AOS

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

封装

SOP-8

电流

11A

沟道

P

电压

12V