AOS万代全新进口原装AO4202 封装SOP-8 MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市远东国际电子有限公司

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FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 19A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :2200pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能 -
功率耗散:(最大值) 3.1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 5.3 毫欧 @ 19A,10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳 :8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

国际单位制中电流的基本单位是安培。 1安培定义为:在真空中相距为1米的两根无限长平行直导线,通以相等的恒定电流,当每米导线上所受作用力为2×10-7 N时,各导线上的电流为1安培。
初级学习中1安培的定义:1秒内通过导体横截面的电荷量为1库仑,即:1安培=1库仑/秒。
换算方法:
1kA=1000A
1A=1000mA
1mA=1000μA
1μA=1000nA
1nA=1000pA
一些常见的电流:电子手表1.5μA至2μA,白炽灯泡200mA,手机100mA,空调5A至10A,高压电200A,闪电20000A至200000A。
定义公式:
  
, 在一段时间Δt内,通过导体横截面的电荷量ΔQ,单位是库仑。Δt为电荷通过导体的时间,单位是秒[[1]  ]。

型号/规格

AO4202

品牌/商标

AOS

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

封装

SOP-8

电流

19A

沟道

N

电压

30V