FQA160N08原装现货,价格好

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FQA160N08原装现货,价格好

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产品属性

属性值

选择属性


制造商:

onsemi

 


产品种类:

MOSFET

 


RoHS:

 详细信息

 


REACH - SVHC:

详细信息

 


技术:

Si

 


安装风格:

Through Hole

 


封装 / 箱体:

TO-3PN-3

 


晶体管极性:

N-Channel

 


通道数量:

1 Channel

 


Vds-漏源极击穿电压:

80 V

 


Id-连续漏极电流:

160 A

 


Rds On-漏源导通电阻:

7 mOhms

 


Vgs - 栅极-源极电压:

- 25 V, %2B 25 V

 


Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

 


Qg-栅极电荷:

290 nC

 


zui小工作温度:

- 55 C

 


zui大工作温度:

%2B 175 C

 


Pd-功率耗散:

375 W

 


通道模式:

Enhancement

 


商标名:

QFET

 


系列:

FQA160N08

 


封装:

Tube

 


商标:

onsemi / Fairchild

 


配置:

Single

 


下降时间:

410 ns

 


正向跨导 - zui小值:

92 S

 


高度:

20.1 mm

 


长度:

16.2 mm

 


产品类型:

MOSFETs

 


上升时间:

970 ns

 


工厂包装数量:

450

 


子类别:

Transistors

 


晶体管类型:

1 N-Channel

 


类型:

MOSFET

 


典型关闭延迟时间:

260 ns

 


典型接通延迟时间:

85 ns

 


宽度:

5 mm

 


零件号别名:

FQA160N08_NL

 


单位重量:

4.600 g

 


公司成立2008年,拥有16年供货经验 

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

Qg-栅极电荷:

290 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

375 W