SI2323DS-T1-E3只有原装威世专营

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制造商:

Vishay

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOT-23-3

 

晶体管极性:

P-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

 

Id-连续漏极电流:

4.7 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

39 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 8 V, + 8 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

400 mV

 

Qg-栅极电荷:

19 nC

 

Pd-功率耗散:

1.25 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

TrenchFET

 

系列:

SI2

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Vishay Semiconductors

 

配置:

Single

 

下降时间:

48 ns

 

高度:

1.45 mm

 

长度:

2.9 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

43 ns

 

工厂包装数量:

3000

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 P-Channel

 

典型关闭延迟时间:

71 ns

 

典型接通延迟时间:

25 ns

 

宽度:

1.6 mm

 

零件号别名:

SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-E3

 

单位重量:

8 mg

 

毅创辉电子成立2008年,拥有15年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

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封装 / 箱体:

SOT-23-3

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

Id-连续漏极电流:

4.7 A

Qg-栅极电荷:

19 nC