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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
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产品种类: | MOSFET |
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RoHS: |
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技术: | Si |
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安装风格: | Through Hole |
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封装 / 箱体: | TO-247-3 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
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Id-连续漏极电流: | 68.5 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 37 mOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V |
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Qg-栅极电荷: | 300 nC |
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Pd-功率耗散: | 500 W |
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通道模式: | Enhancement |
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商标名: |
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系列: |
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封装: | Tube |
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商标: | Infineon Technologies |
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配置: | Single |
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下降时间: | 8 ns |
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高度: | 21.1 mm |
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长度: | 16.13 mm |
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产品类型: | MOSFET |
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上升时间: | 28 ns |
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工厂包装数量: | 240 |
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子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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典型关闭延迟时间: | 127 ns |
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典型接通延迟时间: | 34 ns |
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宽度: | 5.21 mm |
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零件号别名: | IPW65R41CFDXK SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1 |
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单位重量: | 6 g |
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TO-247-3
650 V
68.5 A
- 20 V, + 20 V