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产品属性 |
属性值 |
搜索类似 |
制造商: |
Infineon |
|
产品种类: |
MOSFET |
|
RoHS: |
|
|
技术: |
Si |
|
安装风格: |
SMD/SMT |
|
封装 / 箱体: |
TDSON-8 |
|
晶体管极性: |
N-Channel |
|
通道数量: |
1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: |
30 V |
|
Id-连续漏极电流: |
230 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: |
1.1 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: |
- 20 V, + 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: |
2 V |
|
Qg-栅极电荷: |
72 nC |
|
Pd-功率耗散: |
96 W |
|
通道模式: |
Enhancement |
|
商标名: |
|
|
封装: |
Reel |
|
封装: |
Cut Tape |
|
封装: |
MouseReel |
|
商标: |
Infineon Technologies |
|
配置: |
Single |
|
下降时间: |
6.2 ns |
|
高度: |
1.27 mm |
|
长度: |
5.9 mm |
|
产品类型: |
MOSFET |
|
上升时间: |
8.8 ns |
|
工厂包装数量: |
5000 |
|
子类别: |
MOSFETs |
|
晶体管类型: |
1 N-Channel |
|
典型关闭延迟时间: |
37 ns |
|
典型接通延迟时间: |
6.7 ns |
|
宽度: |
5.15 mm |
|
零件号别名: |
SP000799082 BSC11N3LSXT BSC011N03LSATMA1 |
|
单位重量: |
104.400 mg |
|
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