SI7157DP-T1-GE3一直原装

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属性值

选择属性

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

PowerPAK-SO-8

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

Id-连续漏极电流:

60 A

Rds On-漏源导通电阻:

1.25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.4 V

Qg-栅极电荷:

625 nC

Pd-功率耗散:

104 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay Semiconductors

配置:

Single

下降时间:

55 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

14 ns

系列:

SI7

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

220 ns

典型接通延迟时间:

20 ns

单位重量:

506.600 mg