SI4816BDY-T1-GE3只有原装

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制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

6.8 A, 11.4 A

Rds On-漏源导通电阻:

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1 V

Qg-栅极电荷:

7.8 nC, 11.6 nC

Pd-功率耗散:

1.4 W, 2.4 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay Semiconductors

配置:

Dual

下降时间:

9 ns, 11 ns

高度:

1.75 mm

长度:

4.9 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

9 ns, 9 ns

系列:

SI4

工厂包装数量:

2500

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

2 N-Channel

典型关闭延迟时间:

24 ns, 31 ns

典型接通延迟时间:

11 ns, 13 ns

宽度:

3.9 mm

零件号别名:

SI4816DY-T1-E3-S

单位重量:

187 mg