IPW65R190CFD现货，保证原装

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制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-247-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

17.5 A

Rds On-漏源导通电阻:

190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

4 V

Qg-栅极电荷:

68 nC

Pd-功率耗散:

151 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

CoolMOS

封装:

Tube

商标:

Infineon Technologies

配置:

Single

下降时间:

6.4 ns

高度:

21.1 mm

长度:

16.13 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

8.4 ns

系列:

CoolMOS CFD2

工厂包装数量:

240

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

5.21 mm

零件号别名:

IPW65R19CFDXK SP000905376 IPW65R190CFDFKSA1

单位重量:

6 g