HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，无需任何直流电源。相比有源混频器，HMC8192LG提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用提供出色的动态范围。

HMC8192LG采用砷化镓 (GaAs)、金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造，使用了Analog Devices, Inc.混频器单元和90°混合器件等组件。HMC8192LG采用紧凑型、4.00mm × 4.00mm、25引脚焊盘栅格阵列腔 (LGA_CAV) 封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。