ADI ADRF5545ABCPZN-R7射频前端

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Analog Devices Inc. ADRF5545A射频前端多芯片模块

Analog Devices ADRF5545A双通道射频前端多芯片模块设计用于工作频率范围为2.4GHz至4.2GHz的时分双工 (TDD) 应用。ADRF5545A采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和大功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.45dB的低噪声系数 (NF) 和32dB的高增益(频率为3.6GHz)以及32dBm(典型值)的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的yi级处于旁路状态,在36mA的较低电流下提供16dB的增益。在关断模式下,LNA将关闭,器件耗流为12mA。

在发射过程中,当射频输入连接到端电极引脚(TERM-ChA或TERM-ChB)时,该开关提供0.65dB的低插入损耗, 并在整个生命周期内处理40dBm的长期演进 (LTE) 平均功率(9dB峰值/平均值比 (PAR)),而在单一事件(<10秒)LNA保护模式下为43dBm。

特性

  • 集成式双通道射频前端
    • 2级LNA和大功率SPDT开关
    • 片上偏置和匹配
    • 单电源供电
  • 增益
    • 高增益模式:3.6GHz时为32dB(典型值)
    • 低增益模式:3.6GHz时为16dB(典型值)
  • 低噪声系数
    • 高增益模式:3.6GHz时为1.45dB(典型值)
    • 低增益模式:3.6GHz时为1.45dB(典型值)
  • 高隔离度
    • RXOUT-CHA和RXOUT-CHB:47dB(典型值)
    • TERM-CHA和TERM-CHB:52dB(典型值)
  • 低插入损耗:0.65dB(3.6GHz时的典型值)
  • TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
    • 整个生命周期
      • LTE平均功率 (9dB PAR):40dBm
    • 单一事件(<10秒运行)
      • LTE平均功率 (9dB PAR):43dBm
  • 高OIP3:32dBm(典型值)
  • 关断模式和低增益模式(针对LNA)
  • 低电源电流
    • 高增益模式:5V时为86mA(典型值)
    • 低增益模式:5V时为36mA(典型值)
    • 关断模式:5V时为12mA(典型值)
  • 正逻辑控制
  • 6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装


应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多输入和多输出以及有源天线系统
    ADG725BSUZ
    MAX359CWE+
    ADG506AKRZ-REEL
    ADG406BPZ
    ADG407BPZ
    MAX307CWI+
    ADG201HSKRZ
    ADG1408SRUZ-EP
    ADG506AKRZ
    ADG506AKNZ ADRF5545ABCPZN-R7
    DG406EUI+
    MAX306EUI+
    MAX307EWI+
    ADG507AKRZ ADRF5545ABCPZN-R7
    MAX307EUI+
    ADG507AKRUZ
    MAX14866UTM+
    MAX4968AECM+
    ADG798HRUZ
    ADG701LBRJZ-REEL7
    ADG701LBRTZ-REEL7
    MAX4501EUK+T ADRF5545ABCPZN-R7
    ADG849YKSZ-REEL
    ADG3248BKSZ-REEL7
    ADG749BKSZ-REEL ADRF5545ABCPZN-R7
    ADG701BRJZ-500RL7
    ADG723BRMZ-REEL7


  • 基于TDD的通信系统









型号/规格

ADRF5545ABCPZN-R7

品牌/商标

Analog Devices

封装

Reel

批号

ADRF5545ABCPZN-R7

工作频率:

2.4 GHz to 4.2 GHz

NF—噪声系数:

1.45 dB

工作电源电压:

4.75 V to 5.25 V

工作电源电流:

86 mA