Analog Devices Inc. ADRF5519 20W接收器前端

ADRF5519BCPZN-R7接收器前端是一款双通道、集成式射频前端多芯片模块，设计用于工作频率范围为2.3GHz至2.8GHz的时分双工 (TDD) 应用。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和大功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关ADRF5519BCPZN-R7。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0dB的低噪声系数 (NF) 和35dB的高增益（频率为2.6GHz）以及32dBm（典型值）的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的yi级处于旁路状态，在36mA的较低电流下提供14dB的增益。在关断模式下，LNA将关闭，器件耗流为12mA。

在发射操作中，射频输入分别连接到端接引脚（ANT-CHA或ANT-CHB连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关具有0.5dB低插入损耗，并可处理43dBm长期演进 (LTE) 平均功率（9dB峰值/平均比 (PAR)），以便在整个使用寿命内工作。AADRF5519BCPZN-R7采用符合RoHS指令的紧凑型6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装。ADRF5519BCPZN-R7

特性

集成式双通道射频前端
- 2级LNA和大功率硅SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源运行
TCASE=105°C时具有高功率处理能力
- LTE平均功率 (9dB PAR) 整个生命周期 (43dBm)
增益
- 高增益模式：35dB（典型值，2.6GHz时）
- 低增益模式：14dB（典型值，2.6GHz时）
低噪声系数
- 高增益模式：1.0dB（典型值，2.6GHz时）
- 低增益模式：1。0dB（典型值，2.6GHz时）
高隔离度
- RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：45dB（典型值）
- TERM-CHA和TERM-CHB（60dB，典型值）

低插入损耗：0.5dB（2.6GHz时典型值）
高OIP3：32dBm（典型值）
关断模式和低增益模式
低电源电流
- 高增益模式：110mA（5V时典型值）
- 低增益模式：36mA（5V时典型值）
- 关断模式：12mA（5V时典型值）
正逻辑控制
6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装
与ADRF5545A和ADRF554910W版本引脚兼容

应用

无线基础设施
TDD大规模多输入和多输出以及有源天线系统
基于TDD的通信系统

型号/规格

ADRF5519BCPZN-R7

品牌/商标

Analog Devices

封装

LFCSP-40

批号

584-ADRF5519BCPZN-R7

工作频率

2.3 GHz to 2.8 GHz

NF—噪声系数

1 dB

工作电源电压

4.75 V to 5.25 V

工作电源电流

+/- 36 mA, +/- 110 mA

最大工作温度

+ 105 C

ADIADRF5519BCPZN-R7接收器前端

Analog Devices Inc. ADRF5519 20W接收器前端

特性

应用