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Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市原力达电子有限公司

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产品详细信息

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc

 
 
 

MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

 
 
产品技术参数
属性数值
通道类型N
最大连续漏极电流5.6 A
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值100 mΩ
最大栅阈值电压3V
最大栅源电压-20 V、+20 V
封装类型SOT-223
安装类型表面贴装
引脚数目3 + Tab
晶体管配置单
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散3.7 W
长度6.7mm
典型关断延迟时间11.9 ns
晶体管材料Si
典型接通延迟时间3.6 ns
最高工作温度+150 °C
典型输入电容值@Vds502 pF@ 30 V
高度1.65mm
尺寸6.7 x 3.7 x 1.65mm
典型栅极电荷@Vgs10.3 nC @ 10 V
工作温度-55 °C
每片芯片元件数目1
宽度3.7mm
品牌

Diodes

型号

DMN6068SE-13

封装

SOT-223

批号

18+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

60 V

漏极电流(Id)

5.6 A

漏源导通电阻(RDS On)

100 mΩ

栅源电压(Vgs)

-20 V、+20 V

栅极电荷(Qg)

10.3 nC @ 10 V

反向恢复时间

11.9 ns

耗散功率

3.7w