长期供应TOS东芝MOS管2SK3265

地区:上海 上海
认证:

上海稻琦电子电器有限公司

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部件型号2SK3265 
极性N沟 
漏源电压VDSS700 V 
漏电流ID10 A 
漏功耗PD45 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)53 
漏源导通电阻RDS(ON)(最大) @VGS=10V1 Ω 
封装TO-220NIS 
管脚数3 
产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 
装配基础日本, 泰国
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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK3265

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

700(V)