供应场效应管2N3055

地区:广东 广州
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2N3055的详细参数介绍 Technical/Catalog Information  2N3055 Vendor  ON Semiconductor 类别  Discrete Semiconductor Products 晶体管类型  NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大)  60V 电流 - 集电极 (Ic)(最大)  15A 功率 - 最大  115W 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)  20 @ 4A, 4V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)  1.1V @ 400mA, 4A 频率 - 转换  - 电流 - 集电极截止(最大)  700碌A 安装类型  Chassis Mount 封装/外壳  TO-3 Packaging  Tray Lead Free Status  Contains Lead RoHS Status  RoHS Non-Compliant 其他名称   2N3055 2N3055 2N3055OS ND 2N3055OSND 2N3055OS
品牌/商标

BNT/ST

型号/规格

2N3055

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/独立组件

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

700(V)

漏极电流

400(mA)

耗散功率

115(mW)