原装 NTR2101PT1G SOT23 晶体管MOSFET

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原装 NTR2101PT1G  SOT23 P沟道 三极管

分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带(TR)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  3.7A(Ta)
驱动电压  1.8V~4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)15 nC @ 4.5 V
Vgs(大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1173 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散(大值)960mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号 NTR2101
属性 描述
标准包装 3,000

原装 NTR2101PT1G  SOT23 P沟道 三极管

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型号/规格

NTR2101PT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT23

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装