UMT1NTN 三极管(BJT) 150mW 50V 150mA PNP

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UMT1NTN 三极管(BJT) 150mW 50V 150mA PNP 

产品概述:UMT1NTN 三极管 (BJT) 一、基本信息 UMT1NTN是一款高性能的PNP型双极晶体管,适用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。该产品由ROHM(罗姆)公司制造,具有优越的电气性能和可靠性,尤其适合在紧凑的空间内使用。 二、结构特点 封装形式:UMT1NTN采用表面贴装型(SMD)封装,型号为SC-70-6(SOT-363),结构紧凑,易于自动化贴装,适用于现代电子产品的PCB设计。 电流与功率规格:设备的集电极电流(Ic)的zui大值为150mA,能够满足大多数应用场景的需求。同时,其zui大功率为150mW,适合低功耗电子设备。 三、电气特性 集射极击穿电压:集射极击穿电压(Vce)zui大值为50V,能够适应相对较高的工作电压,适合在各种工作条件下使用。 集电极截止电流:该三极管的集电极截止电流zui大为100nA(ICBO),预示着其在关闭状态下几乎没有功耗,特别适合低功耗电路。 频率响应:该器件的跃迁频率达到了140MHz,支持高速开关操作,适合高频信号应用和射频设计。 四、工作温度与可靠性 工作温度范围高达150?C,确保在高温环境下仍能正常工作,使其在高温电子产品中表现出色。此外,ROHM公司的严格制造标准和质量控制体系为产品的长期可靠性提供了保障。 五、性能参数 饱和压降:在5mA和50mA的不同集电极电流下,其Vce饱和压降zui大为500mV。这一特性对于低功耗电路实现高效率至关重要。 电流增益:该三极管的电流增益(hFE)在1mA和6V条件下的zui小值为120,这意味着在一定的输入电流下能够有效放大输出电流,适合多种放大器设计。

六、应用场景

三极管广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等领域。其高频、高温和低功耗特性使其特别适合用于以下应用:



型号/规格

UMT1NTN

品牌/商标

ROHM(罗姆)

封装形式

sot-363

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装