DTD113EKT146 数字晶体管

DTD113EKT146 数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 TO-236-3(SOT-23-3)

一、产品简介 DTD113EKT146是一款由日本zhu名半导体制造商ROHM（罗姆）生产的数字晶体管，采用表面贴装型封装（SOT-23-3），为现代电子电路设计提供了强大的性能支持。该器件定位为NPN型预偏置晶体管，广泛应用于各种数字电路和开关电路中，特别适合高频低功耗的应用场合。 二、主要参数 安装类型：作为表面贴装型（SMD）电子元件，DTD113EKT146适用于高密度表面贴装PCB（印刷电路板），大大减小了电路板的占用空间，提高了生产效率。 zui大集电极电流 (Ic)：该晶体管的zui大集电极电流为500mA，使其在大多数小功率应用中具备足够的驱动能力，适合电源开关、信号放大等用途。 zui大集射极击穿电压 (Vce)：允许的zui大Vce为50V，确保在高压环境下仍能稳定工作，适合各种供电电压条件下的应用。 集电极截止电流：在断开状态下，zui大集电极截止电流为500nA，这一较低值有助于降低电路的静态功耗，提高整体系统的能效。 DC电流增益 (hFE)：在Ic为50mA、Vce为5V时，zui小的DC电流增益（hFE）为33，确保输出信号得到良好的放大，提升了元件的驱动能力和开关效率。 饱和压降 (Vce(sat))：在不同的Ib和Ic条件下，Vce饱和压降zui大为300mV（@ 2.5mA，50mA），这样低的饱和压降能够有效降低功耗，提高电路的工作效率。 功率耗散：该晶体管的zui大功率耗散为200mW，适合于低功率应用，保证器件在负载下高效稳定运行。 频率特性：能够支持高达200MHz的跃迁频率，适合用于数据传输、射频（RF）及其他高速信号处理领域，确保其在高速开关和放大应用中的性能出色。 基极和发射极电阻：基极和发射极的电阻均为1kΩ，帮助实现稳定的工作点并确保良好的线性度，提高电路的整体性能。 三、应用领域 DTD113EKT146适用于众多领域，包括但不限于： 开关电源：在开关模式电源（SMPS）中，用于快速开关控制，提高电源转换效率。 信号处理：在音频、视频信号放大器中，用该晶体管以实现低功耗、低失真的信号放大。 数字电路：在各种数字设备中充当开关，控制信号和电源的传递，广泛应用于微控制器和集成电路的外围驱动。 通讯设备：利用其高频特性，适合用于RF信号放大，支持各种无线和有线通信系统。