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MR25H256CDF 抗辐射性能出色,适合航天航空等应用

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市一芯集成科技有限公司

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MR25H256CDF的主要特性:

  1. 存储器类型:非易失性存储器
  2. 存储器格式:RAM
  3. 存储技术:MRAM(磁阻式RAM)
  4. 存储容量:256Kb
  5. 存储器组织:32K x 8
  6. 存储器接口:SPI
  7. 时钟频率:40MHz
  8. 电压范围:2.7V ~ 3.6V
  9. 工作温度范围:-40°C ~ 85°C
  10. 封装类型:8-VDFN 裸露焊盘,8-DFN(5x6)

这款MRAM存储器具有大容量、高速、低功耗、抗辐射等特点,广泛应用于工控、汽车电子、航天航空等领域。它可以作为标准SRAM或NOR FLASH的替代方案,无需硬件改动即可实现。非常适合需要数据安全可靠、抗恶劣环境的应用场景。希望这些信息对您有帮助。如有其他需要,欢迎随时咨询。

型号/规格

MR25H256CDF

品牌/商标

Everspin

封装

8-DFN

批号

20+

包装

5700/托盘