MR4A16BCYS35R -永不失去的数据记忆

MR4A16BCYS35是一款高性能、高可靠性的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,采用先进的磁性隧道结构实现非易失性数据存储。它可以替代传统的FLASH、SRAM、EEPROM等存储器件,为嵌入式系统设计提供更you秀的解决方案。

目标客户:

1. 工业控制和自动化设备制造商

2. 航空航天和国防电子系统开发商

3. 医疗设备和仪器制造商

4. 汽车电子系统设计工程师

5. 通信基础设施设备制造商

产品亮点:

1. 高速SRAM兼容时序:35ns的快速读写速度

2. 无限写入寿命:可承受无数次读写操作

3. 长期数据保存:20年以上的非易失性数据保存

4. 单bit错误纠正:内置ECC功能提高数据可靠性

5. 宽温工作范围:支持-40?C至%2B85?C的工业级温度

6. 小尺寸封装:48引脚BGA和54引脚TSOP2封装

产品优势:

• 一颗MRAM可替代多种存储器件,简化系统设计

• 无需电池备份,大幅提高系统可靠性和稳定性

• 高速读写性能满足实时控制和数据处理需求

• 宽温工作范围适用于恶劣环境应用场景

• 小尺寸封装有利于紧凑型嵌入式系统集成