NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管

NTR4501NT1G  N沟道 MOSFET  场效应管 

场效应管   场效应管

制造商                                                                    onsemi

产品种类                                                                MOSFET

按照风格                                                                SMD/SMT

封装/箱体                                                               SOT-23-3

晶体管极性                                                             N-Channei

通道数量                                                                1 Channei

Vds-漏源极击穿电压                                                20V

Ld-连续漏极电流                                                     3.2A

RDS On-漏源导通电阻                                             80 mOhms

Vgs-栅极-源极电压                                                 -12V、%2B12V

Qg-栅极电荷                                                          2.4 nC

zui小工作温度                                                       -55C

zui大工作温度                                                      +150C  

pd-功率耗散                                                         1.25W

通道模式                                                             Enhancement

系列                                                                    NTR4501

下降时间                                                             3 ns

上升时间                                                            12 ns

正向跨导-zui小值                                                 9 S

高度                                                                  0.94 mm

长度                                                                  2.9 mm

宽度                                                                  1.3 mm

包装数量                                                           3000

晶体管类型                                                       1 N-Channel

典型关闭延迟时间                                             12 ns

典型接通延迟时间                                             6.5 ns

单位重量                                                          8 mg

类型                                                                N沟通

功率（pd）                                                      1.25W

阈值电压（Vgs（th）@Id)                                 1.2V@250uA

栅极电荷（Qg@Vgs）                                       6nC@4.5V

输入电容（Ciss@Vds）                                     200pF@10V

工作温度                                                         -55?C~%2B150?C@（Tj）

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