供应 MUN2240 SOT-23 NPN 带阻三极管

MUN2240产品概述

MUN2240he心特性

1. 高集成度与精准偏置
   内置 47kΩ 基极串联电阻（R1），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号，显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益（hFE）zui小值为160，典型值达350，适用于需要高放大倍数的信号放大或驱动场景。
2. 宽工作范围与可靠性
   • 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
   • 集电极电流（Ic）：100mA
   • 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
   • 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.25V，确保高效信号传输。
   • 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰。
   • 发射极 - 基极截止电流（IEBO）为4.0mA，需在电路设计中关注漏电流控制。

典型应用

• 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转。
• 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备。
• 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理。
• 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，支持 3.3V/5V 混合信号系统。
• 汽车电子：车载信息娱乐系统、传感器接口及低功耗控制电路。

技术参数

注意事项

1. 焊接工艺：建议采用回流焊，焊接温度控制在260℃以内，避免元件过热损坏。焊接时需注意 SOT-23 封装的热阻特性，确保散热良好。
2. 存储条件：干燥环境，避免直接暴露于高温或腐蚀性气体中，存储温度范围为 - 55℃至 %2B 150℃。
3. 电路设计：
   • 使用前需确认电路参数，确保不超过元件的zui大额定值。由于基极 - 发射极间无并联电阻（R2=∞），需特别注意截止状态下的漏电流控制。
   • 实际应用中，建议集电极电流不超过50mA以确保长期可靠性，尤其在驱动感性负载时需配合续流二极管。

MUN2240 凭借其高集成度、宽输入电压兼容性和低饱和电压特性，成为中小功率电子电路的理想选择