供应KRA102S SOT-23 PNP 带阻三极管

KRA102S产品概述

KRA102She心特性

1. 高集成度与精准偏置
   内置 10kΩ 基极串联电阻（R1）和 10kΩ 基极 - 发射极并联电阻（R2），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号，显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益（hFE）zui小值为80（@5mA, 10V），适用于需要稳定增益的开关控制场景。
2. 宽工作范围与可靠性
   • 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
   • 集电极电流（Ic）：100mA（连续）
   • 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
   • 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.1-0.3V，确保高效信号传输。
   • 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰。

典型应用

• 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转（PNP 特性）。
• 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备。
• 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理。
• 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，支持 3.3V/5V 混合信号系统。

技术参数（典型值）

注意事项

1. 焊接工艺：建议采用回流焊，焊接温度控制在 260℃以内，避免元件过热损坏。焊接时需注意 SOT-23 封装的热阻特性，确保散热良好。
2. 存储条件：干燥环境（湿度≤60%），避免直接暴露于高温或腐蚀性气体中，存储温度范围为 - 55℃至 %2B 150℃。
3. 电路设计：
   • 使用前需确认电路参数，确保不超过元件的zui大额定值（如 VCEO、Ic）。由于内置 10kΩ 基极 - 发射极电阻（R2），需注意其对偏置电路的影响，尤其在截止状态下的漏电流控制。
   • 实际应用中，建议集电极电流不超过50mA以确保长期可靠性，尤其在驱动感性负载时需配合续流二极管。

KRA102S 凭借其高集成度、宽输入电压兼容性和低饱和电压特性，成为中小功率电子电路的理想选择