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供应FUJI IGBT晶体管2MBI1000VXB-170E-50 2MBI1000VXB-170E-50 2MBI1000VXB-170E-50
2MBI1000VXB-170E-50 晶体管, IGBT阵列&模块, Module IGBT-Module 功率晶闸管半导体模块 IGBT 模块,2 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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2MBI1000VXB-170E-50 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 160A, 1.8V, 1.2kV, Module IGBT-Module 功率晶闸管半导体模块
2MBI1000VXB-170E-50
FUJITSU(富士通)
M272
1000A
1700V
RoHS Compliant