全新BSM100GB120DN2中频炉可控硅

供应英飞凌IGBT逆变器模块BSM100GB120DN2 BSM100GB120DN2

INFINEON BSM100GB120DN2 BSM100GB120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105A, 2.3V, 350W, 1.2kV, EconoPIM,  IGBT逆变器模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

 IGBT模块应用中应注意的事项有：
　　①各路控制电源要相互隔离，并能达到一定的绝缘等级要求。
　　②在大功率的逆变器中，下桥臂的开关管也要各自用一个隔离电源，以避免产生回路噪音，只是这几路电源的隔离电压不需太高。

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