SI4056DY-T1-GE3 N通道 沟道增强模式功率

VISHAY SI4056DY-T1-GE3 晶体管， 场效应管， N沟道， 11.1 A， 100 V， 0.017 欧姆， 10 V， 1.5 V  N通道

SI4056DY-T1-GE3 是一款 100VDS 沟槽场效应晶体管? N 沟道增强模式功率 MOSFET，适用于直流至直流初级侧开关、电信/服务器和同步整流应用。

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100% Rg 测试

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100% 经统计研究所测试

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无卤素

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-55 至 150?C 工作温度范围

放大电子信号，并在 Vishay 的 SI4056DY-T1-GE3 功率 MOSFET 的帮助下在它们之间切换。其功耗为2500 mW。卷带包装将在运输过程中包裹产品，确保安全交付并实现组件的快速安装。该器件采用沟槽场效应晶体管技术。该 N 沟道 MOSFET 晶体管以增强模式工作。该 MOSFET 晶体管的工作温度范围为 -55 ?C 至 150 ?C。

N通道