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NTJD4152PT1G onsemi SOT-363-6 只做原装

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市集芯半导体有限公司

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NTJD4152PT1G onsemi SOT-363-6 


产品信息


技术: Si    安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-363-6  晶体管极性: P-Channel  



通道数量: 2 Channel  Vds-漏源极击穿电压: 20 V  
Id-连续漏极电流: 880 mA  Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V  Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  
Qg-栅极电荷: 2.2 nC  工作温度: - 55 C   + 150 C  
Pd-功率耗散: 272 mW  通道模式: Enhancement  
封装: Reel  封装: Cut Tape  封装: MouseReel  
商标: onsemi  配置: Dual  
下降时间: 3.5 ns  正向跨导 - 小值: 3 S  
高度: 0.9 mm  长度: 2 mm  产品: MOSFET Small Signal  
产品类型: MOSFET  上升时间: 6.5 ns  
系列: NTJD4152P  工厂包装数量: 3000  
子类别: MOSFETs  晶体管类型: 2 P-Channel  
类型: MOSFET  典型关闭延迟时间: 13.5 ns  
典型接通延迟时间: 5.8 ns  宽度: 1.25 mm  单位重量: 7.500 mg


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型号/规格

NTJD4152PT1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-363-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

原盒原标

晶体管极性

P-Channel

通道数量

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Id-连续漏极电流

880 mA

Rds On-漏源导通电阻

1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压

- 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.2 V

工厂包装数量

3000/盘