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产品属性
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芯片详情:
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
系列: FDN372S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 小值: 15 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN372S_NL
单位重量: 30 mg
型号:FDN372S
类型:MOSFET
深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商,致力于芯片代理、推广、销售及方案,产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能,消费类电子等行业!
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芯片详情: 产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
系列: FDN372S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 小值: 15 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN372S_NL
单位重量: 30 mg
FDN372S
ON(安森美)
SSOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装