产品种类: MOSFET 供应FDD050N03B

型号：FDD050N03B

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型号：FDD050N03B

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型号：FDD050N03B

型号：FDD050N03B

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.25 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 65 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDD050N03B
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 4.5 ns
正向跨导 - 小值: 169 S
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 14.5 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg

型号：FDD050N03B