产品种类: MOSFET 供应FDB024N08BL7

型号：FDB024N08BL7

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型号：FDB024N08BL7

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型号：FDB024N08BL7

型号：FDB024N08BL7

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 229 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 137 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 246 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDB024N08BL7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 小值: 227 S
高度: 4.7 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 66 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
宽度: 9.4 mm
单位重量: 1.600 g

型号：FDB024N08BL7