IRF7465TRPBF原装Infineon(英飞凌)

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产品型号：IRF7465TRPBF

品牌： Infineon(英飞凌)
封装： SOIC-8_150mil
描述：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：1.9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,1.14A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5.5V@250uA N沟 150V 1.9A

品　　牌： Infineon(英飞凌)

厂家型号： IRF7465TRPBF

商品编号： C150561

封装： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.275克(g)

包装方式：编带

Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

silicon area. This benefit, combined with the fast switching

speed and ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer with an

extremely efficient and reliable device for use in a wide

variety of applications.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation levels

to approximately 50 watts. The low thermal resistance and

low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

IRF7465TRPBFIRF7465TRPBF

型号/规格

IRF7465TRPBF

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

SOIC-8_150mil

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

供应IRF7465TRPBF原装Infineon(英飞凌)