IGBT 模块 供应BSM10GD120DN2

型号：BSM10GD120DN2

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型号：BSM10GD120DN2

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型号：BSM10GD120DN2

型号：BSM10GD120DN2

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Full Bridge
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 120 nA
Pd-功率耗散: 80 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
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子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 45.5 mm
零件号别名: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1
单位重量: 180 g

型号：BSM10GD120DN2