IGBT 模块 供应BSM35GP120

型号：BSM35GP120

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型号：BSM35GP120

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型号：BSM35GP120

型号：BSM35GP120

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
栅极—射极漏泄电流: 300 nA
Pd-功率耗散: 230 W
封装 / 箱体: EconoPIM2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
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子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 45 mm
零件号别名: SP000100381 BSM35GP120BOSA1
单位重量: 180 g

型号：BSM35GP120