供应PTFA212001E原装INFINEON

型号：PTFA212001E

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型号：PTFA212001E

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型号：PTFA212001E

型号：PTFA212001E

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
工作频率: 2170 MHz
增益: 15.8 dB
输出功率: 200 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H-36260-2
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 4.11 mm
长度: 34.04 mm
Pd-功率耗散: 625 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PTFA212001
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
宽度: 23.37 mm
零件号别名: FA212001EV4XP SP000376078 PTFA212001EV4XWSA1

型号：PTFA212001E